温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDD90N02G
MDD90N02G
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 20V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD90N02G
- 商品编号
- C52741848
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17358克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 484pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 551pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD半导体先进的功率沟槽工艺技术制造。该工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 30 A 时,最大 RDS(on) = 3.6 m Ω
- 极低的反向恢复电荷 Qrr
- 经过100%单脉冲雪崩测试
- 经过100% dVDS/dt 测试
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动器和不间断电源-DC-DC转换器