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MDD50P02G
MDD50P02G
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- 描述
- -20V P通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD50P02G
- 商品编号
- C52741847
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1736克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.859nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 338pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺技术制造。该工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 当VGS = -4.5 V、ID = -15 A时,最大RDS(on) = 8.5 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 100%进行UIS测试
- 100%进行dVDS测试
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电机驱动器和不间断电源
- DC-DC转换器