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IDDD08G65C6
650V SiC肖特基二极管
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- 描述
- CoolSiC G6是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进，在英飞凌专有的创新G5技术基础上进行了增强。这使得产品在所有负载条件下都具有更高的效率，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IDDD08G65C6
- 商品编号
- C535845
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 独立式 | |
| 整流电流 | 24A | |
| 正向压降(Vf) | 1.25V@8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 800nA@420V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 47A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |