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IDDD10G65C6
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- 描述
- 第6代CoolSiC是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步改进，引入了新的肖特基金属系统等进步。其结果是产品系列在所有负载条件下都提高了效率，这得益于更低的品质因数 (Qc×VF)。CoolSiC 650V G6二极管旨在补充600V和650V CoolMOS系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IDDD10G65C6
- 商品编号
- C535846
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 独立式 | |
| 整流电流 | 10A | |
| 正向压降(Vf) | 1.35V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 33uA@420V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 55A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |