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IDH16G65C6
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- 描述
- 是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进，在所有负载条件下具有更高的效率，由更低的品质因数 (Qc×VF) 实现。650 V G6碳化硅肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IDH16G65C6
- 商品编号
- C535880
- 商品封装
- TO-220-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 独立式 | |
| 整流电流 | 34A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向压降(Vf) | 1.25V@16A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 1.6uA@420V |
优惠活动
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