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BSC012N06NS
BSC012N06NS
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC012N06NS
- 商品编号
- C534285
- 商品封装
- TSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。通过显著降低RDS(ON)和Qg，Power MOS 7°解决了传导损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的传导和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- 采用常用的SOT - 227封装