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BCR 35PN H6327
NPN/PNP硅数字晶体管阵列，适用于开关、反相器、接口和驱动电路，内置偏置电阻，无铅封装
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BCR 35PN H6327
- 商品编号
- C533879
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 70 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 500mV@2mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 1V@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 0.21 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 单封装内集成两个（电流）内部隔离的NPN/PNP晶体管
- 内置NPN和PNP偏置电阻（R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ）
- 无铅（符合RoHS标准）封装
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 开关电路
- 反相器
- 接口电路
- 驱动电路