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BCR 562 E6327
PNP型硅数字晶体管
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- 描述
- 特性：内置偏置电阻 (R₁ = 4.7 kΩ, R₂ = 4.7 kΩ)。 无铅 (符合RoHS) 封装。 符合AEC Q101标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BCR 562 E6327
- 商品编号
- C533910
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 60@50mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 2.2V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.5V | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 1.1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@2.5mA,50mA | |
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
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