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AUIRFSL8409引脚图
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AUIRFSL8409

AUIRFSL8409

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商品型号
AUIRFSL8409
商品编号
C533431
商品封装
TO-262-3​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)409A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))3.9V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)300nC
输入电容(Ciss)14.24nF
反向传输电容(Crss)1.46nF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.13nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用设计,采用最新的加工技术,以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效且可靠的器件。

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 全新超低导通电阻
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
  • 无铅,符合RoHS标准
  • 通过汽车级认证

应用领域

-电动助力转向系统(EPS)-电池开关-启停微混合动力系统-重载应用-DC-DC应用

数据手册PDF