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AUIRFSA8409-7TRL
1个N沟道 耐压:40V 电流:523A
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- 描述
- 专为汽车应用设计，采用最新处理技术，每单位硅面积实现极低导通电阻。该设计还具备175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性使该产品成为汽车应用和其他各种应用中极其高效可靠的器件。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRFSA8409-7TRL
- 商品编号
- C533424
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 523A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 460nC | |
| 输入电容(Ciss) | 13.975nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.438nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用设计，采用最新的工艺技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用和各种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 全新超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
应用领域
-电动助力转向(EPS)-电池开关-启停微混合动力系统-重载应用-DC-DC应用