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E100N7P2HH1
N沟道MOSFET，采用低导通电阻沟槽技术，具备低热阻和快速开关速度，适用于DC/DC转换、电源开关等
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- 描述
- 1个N沟道，100V，85A，7.2mΩ@10V
- 品牌名称
- Existar(毅芯达)
- 商品型号
- E100N7P2HH1
- 商品编号
- C52204719
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.676nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))沟槽技术
- 低热阻
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
应用领域
-直流-直流转换-电源开关-PD充电器-电机驱动器