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JSM6288Q1

三相半桥栅极驱动器，高压高速，兼容多种逻辑输入，具备防交叉导通逻辑

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描述: 此版本为低欠压VCC≥5V；C19077370为高欠压VCC≥8V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: JSM6288Q1
商品编号: C52196409
商品封装: QFN-24(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.151763克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边；三相
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	1.8A
	拉电流(IOH)	1.5A
	工作电压	5V~20V
	上升时间(tr)	30ns
	下降时间(tf)	30ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	0V~800mV
	静态电流(Iq)	230uA
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

JSM6288是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。其专有的高压集成电路和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器交越导通。浮空通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET，工作电压高达250V。JSM6288T1采用TSSOP20封装，JSM6288Q1采用QFN24封装，可在-40°C ~125°C的温度范围内工作。

商品特性

专为自举操作设计的浮空通道
完全工作电压高达+250V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dV/dt噪声抗扰度±50 V/ns
允许的负VS能力：-9V
栅极驱动电源范围从5V到20V
高端和低端欠压锁定电路
高端欠压锁定正向阈值4.5V
高端欠压锁定负向阈值4.3V
低端欠压锁定正向阈值4.5V
低端欠压锁定负向阈值4.3V
交越导通预防逻辑 - 死区时间：200ns
芯片传输延迟特性
开通/关断传输延迟Ton/Toff = 150ns/120ns
延迟匹配时间小于50 ns
双通道匹配的传播延迟
宽工作温度范围-40°C ~125°C
典型输出源/灌电流能力：1.5A/1.8A
符合RoHS标准

应用领域

电机控制
电机控制
通用逆变器
电动工具
电动汽车/无人机

数据手册PDF

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