- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XR60R500
超结技术600V功率MOSFET，适用于AC-DC SMPS、PFC和工业电源应用
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR60R500
- 商品编号
- C52195544
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 317pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
XR60R500采用超结技术设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。这款超结MOSFET满足行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。XR60R500符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备全功能可靠性认证。静电放电（人体模型）：2000V。
商品特性
- 超结技术
- 更低的导通电阻与面积乘积（Ron*A），提高导通效率
- 极低的品质因数（FOM），效率更高
- 符合JEDEC工业级应用标准