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XR40K03D
XR40K03D
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR40K03D
- 商品编号
- C52195554
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品概述
XR 40K03D 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR 40K03D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证 EAS，且通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 100% 保证 EAS
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术