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XRS30N10D

XRS30N10D

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品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS30N10D
商品编号
C52195547
商品封装
PDFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.09762克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))15.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@50V
输入电容(Ciss)806pF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)278pF

商品特性

  • 分裂栅沟槽式MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 高密度单元设计,实现低RDS(ON)

应用领域

-直流-直流转换器-电源管理功能-同步整流应用

数据手册PDF