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PMPB19XP,115-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-10A；导通电阻：20(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)；P—Channel沟道；-20V；-10A；RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-0.6V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMPB19XP,115-VB
- 商品编号
- C52191110
- 商品封装
- DFN-6(2X2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备
- 负载开关
- 电池开关
- 充电器开关