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PMDPB70EN,115-VB
N+N沟道；电压：30V；电流：5.8A；导通电阻：22(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)-B；N+N—Channel沟道；30V；5.8A；RDS(ON)=22(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMDPB70EN,115-VB
- 商品编号
- C52191112
- 商品封装
- DFN-6(2X2)-B
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 886pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤标准
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备,如智能手机、平板电脑和移动计算机
- 负载开关
- DC/DC转换器
- 电源管理