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PMDPB70EN,115-VB
N+N沟道；电压：30V；电流：5.8A；导通电阻：22(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)-B；N+N—Channel沟道；30V；5.8A；RDS(ON)=22(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMDPB70EN,115-VB
- 商品编号
- C52191112
- 商品封装
- DFN-6(2X2)-B
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤标准
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备,如智能手机、平板电脑和移动计算机
- 负载开关
- DC/DC转换器
- 电源管理