- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMPB33XP,115-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-10A；导通电阻：29(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)；P—Channel沟道；-20V；-10A；RDS(ON)=29(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-0.8V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMPB33XP,115-VB
- 商品编号
- C52191111
- 商品封装
- DFN-6(2X2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@VGS=-4.5V,ID=-6.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 散热增强型DFN2X2封装
- 小封装面积
- 低导通电阻
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关