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PMPB33XP,115-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-10A；导通电阻：29(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)；P—Channel沟道；-20V；-10A；RDS(ON)=29(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-0.8V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMPB33XP,115-VB
- 商品编号
- C52191111
- 商品封装
- DFN-6(2X2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 散热增强型DFN2X2封装
- 小封装面积
- 低导通电阻
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关