温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN3R8-100BS,118-VB
N沟道；电压：100V；电流：140A；导通电阻：4(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN3R8-100BS,118-VB
- 商品编号
- C52190971
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻新型封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- D2PAK(TO - 263)
- N沟道MOSFET
- BUK768R1-100E,118-VB
- PHB45NQ15T,118-VB
- PHB33NQ20T,118-VB
- PHB20NQ20T118-VB
- PSMN070-200B,118-VB
- PSMN3R4-30BLE,118-VB
- BUK662R5-30C,118-VB
- PSMN2R0-30BL,118-VB
- PSMN4R3-30BL,118-VB
- BUK962R8-30B,118-VB
- BUK663R5-30C,118-VB
- BUK661R8-30C,118-VB
- PSMN2R7-30BL,118-VB
- BUK762R7-30B,118-VB
- PSMN022-30BL,118-VB
- PSMN1R1-40BS,118-VB
- BUK761R6-40E,118-VB
- BUK963R1-40E,118-VB
- BUK965R4-40E,118-VB
- BUK762R9-40E,118-VB
- BUK763R6-40C,118-VB
- BUK768R1-100E,118-VB
- PHB45NQ15T,118-VB
- PHB33NQ20T,118-VB
- PHB20NQ20T118-VB
- PSMN070-200B,118-VB
- PSMN3R4-30BLE,118-VB
- BUK662R5-30C,118-VB
- PSMN2R0-30BL,118-VB
- PSMN4R3-30BL,118-VB
- BUK962R8-30B,118-VB
- BUK663R5-30C,118-VB
- BUK661R8-30C,118-VB
- PSMN2R7-30BL,118-VB
- BUK762R7-30B,118-VB
- PSMN022-30BL,118-VB
- PSMN1R1-40BS,118-VB
- BUK761R6-40E,118-VB
- BUK963R1-40E,118-VB
- BUK965R4-40E,118-VB
- BUK762R9-40E,118-VB
- BUK763R6-40C,118-VB