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PSMN1R1-40BS,118-VB
N沟道；电压：40V；电流：150A；导通电阻：2(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN1R1-40BS,118-VB
- 商品编号
- C52190987
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 同步整流
- 电源
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