- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PHB45NQ15T,118-VB
N沟道；电压：150V；电流：45A；导通电阻：35(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PHB45NQ15T,118-VB
- 商品编号
- C52190973
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽型功率MOSFET
- 结温175 °C
- 新型低热阻封装
- PWM优化
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
- PHB33NQ20T,118-VB
- PHB20NQ20T118-VB
- PSMN070-200B,118-VB
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