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PHT6NQ10T,135-VB
N沟道；电压：100V；电流：5A；导通电阻：100(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PHT6NQ10T,135-VB
- 商品编号
- C52190935
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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