PMN27XPE115-VB
P沟道;电压:-30V;电流:-4.8A;导通电阻:49(mΩ)
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOT23-6;P—Channel沟道;-30V;-4.8A;RDS(ON)=49(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMN27XPE115-VB
- 商品编号
- C52190947
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
应用领域
-负载开关
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