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PMF370XN,115-VB实物图
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PMF370XN,115-VB

N沟道;电压:30V;电流:1.1A;导通电阻:200(mΩ)

商品型号
PMF370XN,115-VB
商品编号
C52190944
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.8W
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)8.8nC
属性参数值
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)-
栅极电压(Vgs)±12V

商品特性

  • 根据IEC 61249-2-21定义无卤
  • 沟槽功率MOSFET
  • 100% Rq测试
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

应用领域

  • 便携式设备
  • 负载开关
  • 电池开关
  • 电机、继电器和螺线管的负载开关

数据手册PDF