2N7002PS,125-VB
N+N沟道;电压:60V;电流:0.35A;导通电阻:1800(mΩ)
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SC70-6;N+N—Channel沟道;60V;0.35A;RDS(ON)=1800(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2N7002PS,125-VB
- 商品编号
- C52190879
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低导通电阻:1.8 Ω
- 低阈值:2 V(典型值)
- 低输入电容:30 pF
- 快速开关速度:25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
- PMN48XP,115-VB
- PMG85XP,115-VB
- PMN48XP,125-VB
- BSH207,135-VB
- PHK5NQ15T518-VB
- PSMN165-200K518-VB
- PHK31NQ03LT,518-VB
- PHK12NQ03LT,518-VB
- PHK04P02T,518-VB
- PMK30EP,518-VB
- PHKD3NQ10T,518-VB
- BUK7227-100B,118-VB
- BUK9230-100B,118-VB
- PSMN025-100D,118-VB
- BUK7226-75A118-VB
- BUK9226-75A,118-VB
- BUK7240-100A,118-VB
- BUK7275-100A,118-VB
- PSMN063-150D,118-VB
- PHD9NQ20T,118-VB
- PHD97NQ03LT,118-VB
- PMN48XP,115-VB
- PMG85XP,115-VB
- PMN48XP,125-VB
- BSH207,135-VB
- PHK5NQ15T518-VB
- PSMN165-200K518-VB
- PHK31NQ03LT,518-VB
- PHK12NQ03LT,518-VB
- PHK04P02T,518-VB
- PMK30EP,518-VB
- PHKD3NQ10T,518-VB
- BUK7227-100B,118-VB
- BUK9230-100B,118-VB
- PSMN025-100D,118-VB
- BUK7226-75A118-VB
- BUK9226-75A,118-VB
- BUK7240-100A,118-VB
- BUK7275-100A,118-VB
- PSMN063-150D,118-VB
- PHD9NQ20T,118-VB
- PHD97NQ03LT,118-VB



