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PHD9NQ20T,118-VB
N沟道；电压：200V；电流：10A；导通电阻：245(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PHD9NQ20T,118-VB
- 商品编号
- C52190899
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- PWM优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
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