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PHK31NQ03LT,518-VB
N沟道；电压：30V；电流：25A；导通电阻：3(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PHK31NQ03LT,518-VB
- 商品编号
- C52190886
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 610pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 930pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 采用高密度沟槽功率 MOSFET 技术实现超低导通电阻
应用领域
-同步降压低端应用-笔记本电脑-服务器-工作站-负载点同步整流器
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