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TSA20N60MR
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。这项先进技术专门设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件适用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA20N60MR
- 商品编号
- C529269
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 385W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.944nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 264pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 20A，600V，VGS = 10V时RDS(on)=0.4Ω
- 低栅极电荷（典型值57nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正