PMN42XPEAH-VB
P沟道;电压:-30V;电流:-4.8A;导通电阻:49(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMN42XPEAH-VB
- 商品编号
- C52148583
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
应用领域
- 负载开关
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