- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV55ENEAR-VB
N沟道；电压：60V；电流：5.5A；导通电阻：30(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMV55ENEAR-VB
- 商品编号
- C52148587
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 100% 进行 UIS 测试
应用领域
- 电池开关
- DC/DC 转换器
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