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PMF250XNEX-VB实物图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMF250XNEX-VB

N沟道;电压:30V;电流:1.1A;导通电阻:200(mΩ)

商品型号
PMF250XNEX-VB
商品编号
C52148599
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4nC
输入电容(Ciss)180pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)128pF
栅极电压(Vgs)±12V

商品特性

  • 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
  • 沟槽功率MOSFET
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

应用领域

  • 直流-直流(DC/DC)转换器
  • 便携式应用的负载开关

数据手册PDF