- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMGD280UN,115-VB
N+N沟道；电压：20V；电流：2.6A；导通电阻：86(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMGD280UN,115-VB
- 商品编号
- C52148617
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-便携式应用负载开关
- BSS138PS,115-VB
- 2N7002BKS,115-VB
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