- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK6D23-40EX-VB
N沟道；电压：40V；电流：12A；导通电阻：12(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BUK6D23-40EX-VB
- 商品编号
- C52148632
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率 MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq 测试
- 100% UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 笔记本电脑 CPU 核心
- 高端开关