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BSS84AKVL-VB
P沟道；电压：-60V；电流：-0.5A；导通电阻：3000(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSS84AKVL-VB
- 商品编号
- C52148576
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 460mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 高端开关
- 低导通电阻:3 Ω
- 低阈值:-2 V(典型值)
- 快速开关速度:20 ns(典型值)
- 低输入电容:20 pF(典型值)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 符合 RoHS 标准
- P 沟道 MOSFET
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