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IR2103STRPBF-HX

高压高速半桥驱动器

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描述: IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V
品牌名称: ZHHXDZ(海芯电子)
商品型号: IR2103STRPBF-HX
商品编号: C51934036
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	680ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	3V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	150uA
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

IR2103STRPBF-HX 是一款高压、高速驱动器，专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 而设计，其输出通道分别参考高侧和低侧。该器件采用专有的高压集成电路和抗闩锁 CMOS 技术，提供坚固的单片结构。其逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电平可低至 3.3V。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，专门设计用于最小化驱动器间的直通电流。其浮动通道可有效驱动高侧配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600V。

商品特性

专为自举操作设计的浮动通道
完全工作电压高达 +600V
耐受负瞬态电压
对 dV/dt 免疫
栅极驱动电源电压范围 10V ~ 20V
欠压锁定
兼容 3.3V、5V 和 15V 逻辑
防止直通的逻辑
双通道匹配的传播延迟
内部设定死区时间
高侧输出与 HIN 输入同相
低侧输出与 LIN 输入反相

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	100ns
	下降时间(tf)	50ns