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IR2136STRPBF-HX

600V三相栅极驱动IC，具备过流保护、使能和故障指示功能

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描述: IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V
品牌名称: ZHHXDZ(海芯电子)
商品型号: IR2136STRPBF-HX
商品编号: C51934037
商品封装: SOIC-28
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	三相；半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	3
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	125ns
	下降时间(tf)	50ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	3V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	1.6mA
	功能特性	使能关断；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

IR2136STRPBF-HX是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立输出通道，分别参考高侧和低侧，专为三相应用设计。其专有的高压集成电路技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容CMOS或LSTTL输出，逻辑电平低至3.3V。该器件提供电流跳闸功能，可根据外部电流检测电阻终止所有六个输出。此外，使能功能允许同时终止所有六个输出。一个开漏FAULT信号用于指示过流或欠压关断事件。过流故障条件可在通过连接至RCIN输入的外部RC网络编程的延迟后自动清除。输出驱动器包含一个高脉冲电流缓冲级，旨在最小化驱动器交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

商品特性

专为自举操作设计的浮动通道
完全工作电压高达+600V
耐受负瞬态电压，对dV/dt免疫
栅极驱动电源范围从10V至20V
所有通道均具有欠压锁定功能
过流关断可关闭所有六个驱动器
独立的三个半桥驱动器
所有通道匹配的传播延迟
交叉导通预防逻辑
低侧输出与输入反相，高侧输出反相
兼容3.3V逻辑电平
较低的di/dt栅极驱动，具有更好的抗噪性
外部可编程延迟，用于自动故障清除
所有部件均为无铅产品

数据手册PDF

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