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MMDT3906V

塑料封装双PNP晶体管,适用于低功耗放大和开关,采用外延平面芯片结构

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品牌名称
CBI(创基)
商品型号
MMDT3906V
商品编号
C51814143
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.025467克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP+PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)300
属性参数值
特征频率(fT)250MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV;250mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量2个PNP

商品特性

  • 外延平面管芯结构
  • 非常适合低功率放大和开关应用

数据手册PDF