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JFAM20N50E
N沟道 500V 20A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术生产。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JFAM20N50E
- 商品编号
- C51484300
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 271W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V；2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 20A、500V，RDS（on）典型值 = 0.25Ω（VGS = 10V时）
- 先进的平面工艺
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正