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JFQM3N150C
N沟道 1.5kV 3A
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- 描述
- 此功率MOSFET采用先进的自对准平面技术生产。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JFQM3N150C
- 商品编号
- C51484298
- 商品封装
- TO-3PH
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.938nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 104pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的自对准平面技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和提高效率。
商品特性
- 3A、1500V，RDS(on)典型值 = 5Ω（VGS = 10V，Id = 1.5A时）
- 低栅极电荷（典型值37nC）
- 低反向传输电容（典型值2.8pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试