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BCW120N40M2
BCW120N40M2
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- 描述
- SiC MOSFET,1200V, 40mΩ@18V
- 商品型号
- BCW120N40M2
- 商品编号
- C51346558
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.906667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 66.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ |
商品特性
- 高速开关，栅极电荷低
- 本征二极管反向恢复快，反向恢复电荷低
- 雪崩能力稳健
- 100%经过雪崩测试
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 储能系统
- 不间断电源
- 电动汽车充电站
- 服务器与通信电源