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BCBF120N80M1实物图
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BCBF120N80M1

1200V 80mΩ 碳化硅功率MOSFET

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描述
SiC MOSFET,1200V, 80mΩ@18V
商品型号
BCBF120N80M1
商品编号
C51346560
商品封装
TO-263-7L​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)30A
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)50nC
输入电容(Ciss)885pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)65pF
导通电阻(RDS(on))80mΩ

数据手册PDF