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TPH4R50ANH,L1Q(M实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPH4R50ANH,L1Q(M

1个N沟道 耐压:100V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:小而薄的封装。 高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 22 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 3.7 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPH4R50ANH,L1Q(M
商品编号
C516864
商品封装
SOP-8-EP-5.0mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.16704克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))3.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)78W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)4nF
反向传输电容(Crss)31pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)700pF

数据手册PDF