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RU207C
N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：20V/6A。 RDS(ON)=10mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 RDS(ON)=15mΩ（典型值），VGS = 2.5V。 低RDS(ON)。 超高密度单元设计。 可靠耐用。应用：电源管理
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU207C
- 商品编号
- C515680
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 20V/6A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 10mΩ（典型值）
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 15mΩ（典型值）
- 低RDS(ON)
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 电源管理