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SI1902DL-T1-E3
2个N沟道 耐压:20V 电流:700mA
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1902DL-T1-E3
- 商品编号
- C515651
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 385mΩ@4.5V,0.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 160mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这些新的Vishay Siliconix器件适用于需要小型化封装且需切换低电流（约250 mA）的小信号应用，可直接切换或采用电平转换配置。Vishay为这些器件提供了一系列6引脚版本的导通电阻规格。新的6引脚SC - 70封装可实现更好的导通电阻值和更高的热性能。
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET：额定电压2.5 V
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 小信号应用
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