STF18NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
- SMT扩展库
描述
N沟道,600V,13A,285mΩ@10V
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STF18NM60N商品编号
C52046商品封装
TO-220F-3包装方式
管装
商品毛重
2.6克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 13A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 285mΩ@10V,6.5A | |
功率(Pd) | 30W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):285 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 50V
功率 - 最大值:30W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):285 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 50V
功率 - 最大值:30W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP
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