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IR4426STRPBF-HX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR4426STRPBF-HX

双1.5A峰值低侧MOSFET驱动器

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描述
IR4426STRPBF-HX系列是双路低边MOSFET驱动器,采用BiCMOS/DMOS工艺,高效可靠。支持TTL/CMOS输入,输出电压摆幅接近电源/地(25mV内)。提供三种配置:双同相、双反相及一同一反输出,适用于驱动MOSFET、重载时钟线等。
商品型号
IR4426STRPBF-HX
商品编号
C50345554
商品封装
SOP8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.5A
拉电流(IOH)1.5A
工作电压4.5V~18V
上升时间(tr)18ns
下降时间(tf)15ns
属性参数值
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
特性-
工作温度-40℃~+85℃
输入高电平(VIH)2.4V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)-
功能特性-

商品概述

IR4426STRPBF-HX系列双路低侧MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,具有高效功耗和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平,其摆幅在正电源或地电位的25 mV范围内。这与双极型器件形成对比,后者仅能摆动至电源电压1V以内。该驱动器提供三种配置:双路反相、双路非反相以及一路反相加一路非反相输出。它们旨在提供改进的电气性能和鲁棒性。这些驱动器耐用性高,能够承受高达500 mA的反向电流(任一极性)而不发生闩锁,并且地引脚上可承受高达5V的噪声尖峰(任一极性)。这些驱动器主要用于驱动功率MOSFET,但也适用于驱动其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的负载。其他潜在应用包括驱动重负载时钟线、同轴电缆或压电换能器。必须注意,驱动器的总功耗不得超过封装的限制。

商品特性

  • 1.5A峰值输出电流
  • 闩锁保护,可承受 < 100 mA反向电流
  • 4.5V 至 18V 工作电压范围
  • 在25 ns内开关1000 pF负载
  • 低静态电源电流
  • 逻辑1输入时为4 mA
  • 逻辑0输入时为400 μA
  • 匹配的上升和下降时间
  • 7Ω输出阻抗
  • <40 ns典型延迟
  • 逻辑输入保护至 -5V
  • 逻辑输入阈值与电源电压无关
  • 6 pF典型等效输入电容
  • 相对于电源或地的最大输出偏移为25 mV

应用领域

  • MOSFET驱动器
  • 压电换能器驱动器
  • 同轴电缆驱动器
  • 时钟线驱动器

数据手册PDF