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YFW50N03DF
30V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 提高dv/dt能力、快速切换
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW50N03DF
- 商品编号
- C50326976
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.8mΩ@4.5V；9.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
YFW50N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
应用领域
- 锂电池保护-无线冲击-手机快充