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YFW50N20AP
200V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 轴向引线端子、大电流瞬态抑制器、卓越的夹紧能力、GPP芯片、双向、低边坡阻力、重复率（占空比）：0.01%、符合RoHS标准
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW50N20AP
- 商品编号
- C50327288
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@110V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品特性
- 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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