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XR30K03D
双P沟道30V MOSFET
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- 描述
- 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR30K03D
- 商品编号
- C50314135
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；24.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF |
商品概述
XR 30K03D是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR 30K03D符合RoHS和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证耐雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术