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XRS200N15TL
N沟道150V快速开关MOSFET
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- 描述
- 特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS200N15TL
- 商品编号
- C50314149
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 340W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 722pF |
商品概述
这款 P 型场效应晶体管是安森美半导体先进“功率沟槽”工艺的坚固型栅极版本。它经过优化，适用于需要广泛栅极驱动电压范围（4.5V - 20V）的电源管理应用。
商品特性
- 分裂栅极沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用
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